Η Samsung θέλει να είναι η πρώτη στον κόσμο που παράγει μνήμες και αποθηκευτικά μέσα με νέες τεχνολογίες και πλέον είναι η πρώτη στον κόσμο που ξεκινάει τη μαζική παραγωγή 4GB DRAM που βασίζονται στο γρήγορο HBM2 interface, κάτι που θα αυξήσει κατά πολύ τις ταχύτητες.

Οι DRAM που βασίζονται σε HBM2 μπορούν να τροφοδοτήσουν δεδομένα με ρυθμό 256 GBps, καθιστώντας τις επτά φορές ταχύτερες από τις μνήμες DDR5. Η εταιρεία είπε ότι θα παρέχει τις νέες DRAM σε κατασκευαστές επαγγελματικών servers, που εκτιμούν την απόδοση περισσότερο από οτιδήποτε άλλο.

Samsung-4GB-HBM2-DRAM-Block-Diagram

Η Samsung δήλωσε ότι θα προσφέρει επίσης αυτά τα chips των 20nm στην NVIDIA και την AMD, που θα τις βοηθήσουν να κατασκευάσουν κάρτες γραφικών με εξαιρετικά υψηλή απόδοση και μειωμένη κατανάλωση ενέργειας. Η Samsung κατασκευάζει τώρα μόνο μνήμες 4GB με τέσσερα στρώματα πυρήνων των 8-gigabit, αλλά σύντομα θα αρχίσει και την παραγωγή 8GB DRAM με οκτώ στρώματα.

Πηγή | Via

ΚΟΙΝΟΠΟΙΗΣΗ
Προηγούμενο άρθροSamsung Galaxy J5 (2016): Εμφανίστηκε στο GFXBench με 5,2 ίντσες οθόνη
Επόμενο άρθροOddworld: New ‘n’ Tasty! Από σήμερα στο PlayStation Vita!
Hello Techmaniacs... Δημήτρης εδώ, ο Junior!!! Από μικρή ηλικία, θυμάμαι τον εαυτό μου να έχει μια ξεχωριστή άνεση με τις ηλεκτρονικές συσκευές. Τώρα είμαι 18 ετών και κάνω το όνειρο μου πραγματικότητα σπουδάζοντας Computer Engineering! Διάβασμα, διαγωνίσματα και εξετάσεις, έχουν περιορίσει τον ελεύθερο μου χρόνο, όταν όμως κάνεις αυτό που αγαπάς, και πόσο μάλλον όταν το σπουδάζεις, απολαμβάνεις κάθε στιγμή.

ΑΦΗΣΤΕ ΕΝΑ ΣΧΟΛΙΟ