Η Samsung Foundry ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε την παραγωγή 3nm semiconductor chip στο εργοστάσιό της στο Hwaseong στη Νότια Κορέα. Σε αντίθεση με τα chip προηγούμενης γενιάς που χρησιμοποιούσαν FinFET, η νοτιοκορεατική εταιρεία χρησιμοποιεί την αρχιτεκτονική τρανζίστορ GAA (Gate All Around), η οποία βελτιώνει σημαντικά την απόδοση ισχύος.
Με την αρχιτεκτονική GAA MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET), τα 3nm chip της Samsung έχουν υψηλότερη απόδοση ισχύος, μειώνοντας την τάση τροφοδοσίας και ενισχύοντας την ικανότητα ρεύματος του drive. Η Samsung χρησιμοποιεί επίσης τρανζίστορ νανοφύλλων σε semiconductor chip για επεξεργαστές smartphone υψηλής απόδοσης.
Σε σύγκριση με την τεχνολογία νανοσύρματος, τα νανοφύλλα με ευρύτερα κανάλια επιτρέπουν υψηλότερη επίδοση και καλύτερη απόδοση. Προσαρμόζοντας το πλάτος του νανοφύλλου, οι πελάτες της Samsung μπορούν να προσαρμόσουν τη χρήση ενέργειας και την απόδοση ανάλογα με τις ανάγκες τους.
Σε σύγκριση με τα 5nm chip, η νοτιοκορεατική εταιρεία αναφέρει 23% βελτιωμένη απόδοση, 45% μείωση στη χρήση ενέργειας, και μείωση επιφάνειας 16%. Τα 3nm chip δεύτερης γενιάς της Samsung θα προσφέρουν 50% καλύτερη απόδοση ισχύος, 30% καλύτερη επίδοση, και 35% λιγότερη επιφάνεια.
Για να βοηθήσει τους πελάτες και τους συνεργάτες της να σχεδιάσουν καλύτερα chip και να επαληθεύσουν τα σχέδιά τους, η Samsung Foundry παρέχει ένα σταθερό περιβάλλον σχεδίασης. Οι πελάτες μπορούν να μειώσουν τον χρόνο που απαιτείται για τον σχεδιασμό των chip, τη διαδικασία επαλήθευσης και αποσύνδεσης, και την ενίσχυση της αξιοπιστίας του προϊόντος μέσω συνεργατών SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), συμπεριλαμβανομένων των Ansys, Cadence, Siemens, και Synopsys.
Ο Δρ. Siyoung Choi, Πρόεδρος και Επικεφαλής του Foundry Business στη Samsung Electronics, δήλωσε ότι η Samsung αναπτύχθηκε ραγδαία καθώς συνεχίζουν να επιδεικνύουν ηγετική θέση στην εφαρμογή τεχνολογιών κατασκευής επόμενης γενιάς, όπως η πρώτη πύλη μετάλλων High-K της βιομηχανίας χυτηρίων, FinFET, καθώς και EUV.
Επιπλέον, είπε ότι επιδιώκουν να παραμείνουν στην ηγετική τους θέση με την πρώτη διαδικασία 3nm στον κόσμο με το MBCFETTM. Θα συνεχίσουν την ενεργό καινοτομία στην ανταγωνιστική ανάπτυξη τεχνολογίας και θα δημιουργήσουν διαδικασίες που βοηθούν στην επίσπευση της ωριμότητας της τεχνολογίας.
Ακολουθήστε το Techmaniacs.gr στο Google News για να διαβάζετε πρώτοι όλα τα τεχνολογικά νέα. Ένας ακόμα τρόπος να μαθαίνετε τα πάντα πρώτοι είναι να προσθέσετε το Techmaniacs.gr στον RSS feeder σας χρησιμοποιώντας τον σύνδεσμο: https://techmaniacs.gr/feed/.
Ακολουθήστε το Techmaniacs.gr στο Google News για να διαβάζετε πρώτοι όλα τα τεχνολογικά νέα. Ένας ακόμα τρόπος να μαθαίνετε τα πάντα πρώτοι είναι να προσθέσετε το Techmaniacs.gr στον RSS feeder σας χρησιμοποιώντας τον σύνδεσμο: https://techmaniacs.gr/feed/.
