Η Samsung ξεκινάει την παραγωγή μνημών 4 gigabit DDR3 στα 20nm

Η Samsung ξεκίνησε την μαζική παραγωγή αυτού που λέμε που εξελιγμένες DDR3 μνήμες. Είναι βασισμένες στη μικροαρχιτεκτονική των 20nm, την οποία η Samsung χρησιμοποιεί εδώ και 2 χρόνια.

Αυτή τη στιγμή ωστόσο, τα modules των 4 Gigabit είναι DDR3 και όχι DDR2 και η εταιρεία χρησιμοποιεί νέα τεχνολογία διπλού pattern ονομάζοντάς την ArF lithography immersion. Παρόλο που όλα αυτά ακούγονται πολύ επιστημονικά, η Samsung επιμένει ότι αυτή η τεχνολογία θα βοηθήσει στις μελλοντικές μνήμες αρχιτεκτονικής 10nm.

 Οι DDR3 μνήμες των 20nm καταναλώνουν 25% λιγότερη ενέργεια συγκριτικά με τις μνήμες των 25nm και έχουν καλύτερη απόδοση κατά 30%. Οι καινούριες μνήμες αναμένονται να κυκλοφορήσουν μέσα στους επόμενους μήνες.

Πηγή | Via

Ακολουθήστε το Techmaniacs.gr στο Google News για να διαβάζετε πρώτοι όλα τα τεχνολογικά νέα. Ένας ακόμα τρόπος να μαθαίνετε τα πάντα πρώτοι είναι να προσθέσετε το Techmaniacs.gr στον RSS feeder σας χρησιμοποιώντας τον σύνδεσμο: https://techmaniacs.gr/feed/.