Η Samsung ξεκίνησε την μαζική παραγωγή αυτού που λέμε που εξελιγμένες DDR3 μνήμες. Είναι βασισμένες στη μικροαρχιτεκτονική των 20nm, την οποία η Samsung χρησιμοποιεί εδώ και 2 χρόνια.
Αυτή τη στιγμή ωστόσο, τα modules των 4 Gigabit είναι DDR3 και όχι DDR2 και η εταιρεία χρησιμοποιεί νέα τεχνολογία διπλού pattern ονομάζοντάς την ArF lithography immersion. Παρόλο που όλα αυτά ακούγονται πολύ επιστημονικά, η Samsung επιμένει ότι αυτή η τεχνολογία θα βοηθήσει στις μελλοντικές μνήμες αρχιτεκτονικής 10nm.
Οι DDR3 μνήμες των 20nm καταναλώνουν 25% λιγότερη ενέργεια συγκριτικά με τις μνήμες των 25nm και έχουν καλύτερη απόδοση κατά 30%. Οι καινούριες μνήμες αναμένονται να κυκλοφορήσουν μέσα στους επόμενους μήνες.
