Τόσο ο κόμβος διεργασίας 3nm Gate-All-Around (GAA) της Samsung Foundry όσο και ο κόμβος διεργασίας 3nm FinFET της TSMC παρουσιάζουν ποσοστό απόδοσης 50%, σύμφωνα με το νοτιοκορεατικό Chosun. Η τεχνολογία Gate-All-Around (GAA) επιτρέπει στο τρανζίστορ να έρχεται σε επαφή με το κανάλι και στις τέσσερις πλευρές του, γεγονός που μειώνει τη διαρροή ρεύματος και παρέχει υψηλό ρεύμα αποστράγγισης. Αν και η Samsung χρησιμοποιεί αυτήν την τεχνολογία, η οποία διαθέτει κάθετα τοποθετημένα νανοφύλλα, στον κόμβο των 3nm, η TSMC δεν θα συμπεριλάβει την GAA μέχρι να φτάσει στα 2nm.
Σύμφωνα με την έκθεση, η Qualcomm αρνείται να επιτρέψει στη Samsung Foundry να κατασκευάσει τα chip της έως ότου το ποσοστό απόδοσης φτάσει το 70%. Το ποσοστό είναι το ποσοστό των κύβων που περνούν τον ποιοτικό έλεγχο (QC) σε σύγκριση με όλους τους κύβους που είναι διαθέσιμοι από ένα πλακίδιο πυριτίου. Το ζήτημα είναι ότι ο σχεδιαστής των chip, στην προκειμένη περίπτωση η Qualcomm, πρέπει να πληρώσει για όλα τα dies από ένα μόνο wafer, είτε αυτά περνούν τον QC είτε όχι. Η TSMC έδωσε στον μεγαλύτερο πελάτη της, την Apple, μια πολύ καλή συμφωνία και το χυτήριο επωμίζεται προς το παρόν το κόστος τυχόν ελαττωματικών 3nm chip.
Με απόδοση 50%, η Qualcomm θα έπρεπε να αυξήσει τις τιμές των Snapdragon chip για να καλύψει τα χρήματα που θα έπρεπε να πληρώσει στη Samsung για τα ελαττωματικά chip. Ένας κόμβος διεργασίας 3nm σημαίνει ότι το chip χρησιμοποιεί μικρότερα τρανζίστορ που επιτρέπουν να χωρέσουν περισσότερα στο εσωτερικό του. Όσο μεγαλύτερος είναι ο αριθμός των τρανζίστορ ενός chip, τόσο πιο ενεργειακά αποδοτικό ή/και ισχυρό είναι. Αυτήν τη στιγμή, το μόνο 3nm chip που χρησιμοποιείται για την τροφοδοσία ενός smartphone είναι το A17 Pro της Apple, το οποίο χρησιμοποιείται σήμερα στα iPhone 15 Pro και iPhone 15 Pro Max.
Η Samsung έχει παραδώσει φέτος 3nm chip σε μια κινεζική εταιρεία bitcoin. Αλλά αυτά τα chip δεν κατασκευάστηκαν για smartphones και έτσι ήταν πιο εύκολο να παραχθούν. Η Qualcomm χρησιμοποίησε τη Samsung για την παραγωγή του επεξεργαστή εφαρμογών (AP) Snapdragon 8 Gen 1 των 5nm, ο οποίος παρουσιάστηκε τον Δεκέμβριο του 2021. Αλλά ένα ποσοστό απόδοσης τόσο χαμηλό όσο το 35% ανάγκασε την Qualcomm να εγκαταλείψει τη Samsung και ο σχεδιαστής chip μεταπήδησε στην TSMC για την παραγωγή του Snapdragon 8+ Gen 1.
Η TSMC έχει ήδη σημειωθεί ως το χυτήριο που θα κατασκευάσει τον επερχόμενο Snapdragon 8 Gen 3 και οι πρώτες φήμες ήθελαν τόσο την TSMC όσο και τη Samsung να συμμετέχουν στην παραγωγή του Snapdragon 8 Gen 4. Ο τελευταίος θα παρουσιαστεί το 2024. Όμως, πριν από δύο μήνες φάνηκε ότι η Samsung Foundry θα πάρει τη δουλειά επειδή η TSMC δεν είχε την παραγωγική ικανότητα 3nm, χάρη στην Apple και τη MediaTek.
Ωστόσο, αν η Samsung Foundry δεν μπορέσει να ανεβάσει το ποσοστό απόδοσης των 3nm στο 70% εγκαίρως, η Qualcomm ίσως χρειαστεί να πάρει κάποιες δύσκολες αποφάσεις. Βέβαια, θα μπορούσε να χρειαστεί να στραφεί στη Samsung Foundry, ανεξάρτητα από την απόδοση, ή να κατασκευάσει το SoC Snapdragon 8 Gen 4 σε κόμβο διεργασίας 4nm. Σύμφωνα με τον αναλυτή της TF International, Ming-Chi Kuo, η Qualcomm απέκλεισε πρόσφατα τη χρήση της Intel για την κατασκευή των Snapdragon chip.
Ακολουθήστε το Techmaniacs.gr στο Google News για να διαβάζετε πρώτοι όλα τα τεχνολογικά νέα. Ένας ακόμα τρόπος να μαθαίνετε τα πάντα πρώτοι είναι να προσθέσετε το Techmaniacs.gr στον RSS feeder σας χρησιμοποιώντας τον σύνδεσμο: https://techmaniacs.gr/feed/.
