Η TSMC παρουσίασε λεπτομερώς το χρονοδιάγραμμα ανάπτυξης chip. Σύμφωνα με όσα ανέφερε, η εταιρεία κατασκευής chip με έδρα την Ταϊβάν θα παρουσιάσει τα 3nm chip το δεύτερο εξάμηνο του τρέχοντος έτους και θα φέρει την τεχνολογία 2nm στην παγκόσμιες αγορές το 2025.

Ο κόμβος των 3nm θα διατίθεται σε πέντε επίπεδα, το καθένα ισχυρότερο, πιο πυκνό σε τρανζίστορ, και αποτελεσματατικότερο – N3, N3E (Enhanced / Βελτιωμένη), N3P (Performance Enhanced / Βελτιωμένη απόδοση), N3S (Density Enhanced / Βελτιωμένη Πυκνότητα) και N3X (Ultra High Performance / Υπερυψηλές επιδόσεις).

Όσον αφορά τον κόμβο των 2nm της TSMC, θα ενισχύσει την απόδοση κατά 10% έως 15% με την ίδια λήψη ισχύος και θα φέρει 25% έως 30% χαμηλότερη κατανάλωση στην ίδια συχνότητα και αριθμό τρανζίστορ, σε σύγκριση με τον κόμβο N3E. Το N2 αυξάνει την πυκνότητα του chip σε σχέση με το N3E κατά 1.1x.

Η TSMC παρουσίασε τα GAAFET (gate-all-around field-effect transistors). Τα νέα τρανζίστορ νανοφύλλων θα αυξήσουν την απόδοση ανά watt μειώνοντας την αντίσταση. Εν τω μεταξύ, το Samsung Foundry θα ξεκινήσει επίσης τη μαζική παραγωγή 3nm chip το 2022 και την παραγωγή 2nm chip το 2025.

Ακολουθήστε το Techmaniacs.gr στο Google News για να διαβάζετε πρώτοι όλα τα τεχνολογικά νέα. Ένας ακόμα τρόπος να μαθαίνετε τα πάντα πρώτοι είναι να προσθέσετε το Techmaniacs.gr στον RSS feeder σας χρησιμοποιώντας τον σύνδεσμο: https://techmaniacs.gr/feed/.

ΑΦΗΣΤΕ ΜΙΑ ΑΠΑΝΤΗΣΗ

Please enter your comment!
Please enter your name here

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.