Μόλις πριν από μερικές ημέρες κατά τη διάρκεια του Foundry Forum στις ΗΠΑ, η Samsung αποκάλυψε το χρονοδιάγραμμα μετάβασης των επεξεργαστών της στα 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early και 3nm Gate-All-Around Early/Plus. Η 7nm LPP θα είναι η πρώτη που θα χρησιμοποιεί την EUV λιθογραφία και θα είναι έτοιμη για μαζική παραγωγή το δεύτερο μισό του έτους.
Επεξεργαστές βασισμένοι στη μέθοδο 5nm LPE της Samsung θα παρέχουν εξαιρετικά χαμηλή κατανάλωση ενέργειας. Και τα τελευταία chips που θα ενσωμάτωναν την FinFET θα παραχθούν χρησιμοποιώντας την 4nm Low Power Early/Plus process. Νωρίτερα μέσα στο έτος, ένα report από την Κορέα ήθελε την Samsung να κατασκευάζει τον Snapdragon 855 των 7nm το οποίο θα βρίσκεται στο εσωτερικό του Galaxy S10.
Όσον αφορά την μέθοδο των 3nm, η Samsung θα χρησιμοποιήσει τη δική της next-generation GAA (Gate all-around) αρχιτεκτονική MBCFET (multi-bridge-channel FET). Βέβαια, κάτι τέτοιο δεν αναμένεται να γίνει μέχρι το 2022. Θυμηθείτε, ότι όσο μικρότερος είναι ο αριθμός των nm, τόσο καλύτερες επιδόσεις σε συνδυασμό με χαμηλή κατανάλωση σημειώνει ο επεξεργαστής.
