Η SK Hynix της Ν. Κορέας ανακοίνωσε πως κατασκεύασε DDR4 μνήμες με μέγεθος 128GB.
Τα νέα modules είναι βασισμένα στην τεχνολογία Through Silicon Via (TSV), με βελτιωμένη ταχύτητα και απόδοση. Η τεχνολογία TSV επιτρέπει στις μνήμες να συνδέεται με υψηλότερη ηλεκτρική απόδοση.
Σύμφωνα με τον κατασκευαστή, το dim των 128GB DDR4, μπορεί να φτάσει ταχύτητες 2.133 megabits το δευτερόλεπτο σε σύγκριση με τα 1.333 megabits της DDR3. Επίσης θα καταναλώνει λιγότερη ενέργεια αφού θα δουλεύουν στα 1.2V ενώ οι προκάτοχοί τους δούλευαν στα 1.35V.
Η μαζική παραγωγή των 128GB DDR4 αναμένεται να ξεκινήσει στα πρώτα μισά του 2015!
