Η Samsung ξεκίνησε την παραγωγή DDR3 μνημών στα 4GΒ. Οι μνήμες θα είναι χαμηλής κατανάλωσης φτιαγμένες στα 20nm και θα προορίζονται για τις φορητές συσκευές μας.
Τα νέα chips μπορούν να υποστηρίζουν φτάσουν την ταχύτητα των 2.133 Mb/s, το οποίο είναι παραπάνω από τις επιδόσεις των LPDDR2, που έφταναν μέχρι τα 800Mbps. Σε σύγκριση με τα τωρινά LPDDR3 chips που είναι στα 30nm, έχουμε 30% περισσότερες επιδόσεις, ενώ έχουμε 20% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας.
Σύμφωνα με την Samsung η νέα τεχνολογία θα καταφέρει να χωρέσει ένα πακέτο των 2GB σε πάχος μόλις 0.8mm. Αυτό σημαίνει δυνατότερο hardware σε ακόμα πιο λεπτές συσκευές.
