Αν τα 3GB RAM του Galaxy Note 3 σας φαίνονται πολλά, τότε η Samsung ετοιμάζεται να μας εκπλήξει περισσότερο. Η εταιρία μόλις αποκάλυψε το πρώτο 1GB DDR4 χαμηλής κατανάλωσης, που μπορεί να οδηγήσει σε 4GB multilayered chip σε mobile μέγεθος.
Οι εν λόγω μνήμες παρέχουν υψηλότερο bandwidth που φτάνει τα 3.1Gbps και άρα προσφέρει 50% αύξηση στην ταχύτητα σε σχέση με τις σημερινές DDR3. Συγχρόνως τα νέα chips προσφέρουν 40% λιγότερη κατανάλωση ενέργειας σε σχέση με τους προκάτοχούς τους.
Η Samsung υπόσχεται μαζική παραγωγή των εν λόγω μνημών μέσα στο 2014. Οι εν λόγω μνήμες θα πάνε σε laptops, tablets και high end smartphones με ανάλυση 2K και άνω, καθώς τα έξτρα pixels θέλουν και παραπάνω μνήμη.
