H Samsung Electronics ανακοίνωσε επίσημα πως η Samsung ξεκίνησε την διαδικασία μαζικής παραγωγής μνημών RAM 3GB LPDDR3 χαμηλής κατανάλωσης. Ανέφερε επίσης πως αυτό το βήμα θα ανεβάσει τις φορητές συσκευές ένα επίπεδο πάνω!
Ο αντιπρόεδρος των Πωλήσεων Μνημών και Μάρκετινγκ, Young-Hyun Jun δήλωσε πως τα 3GB RAM θα μπουν στις high end συσκευές αρχίζοντας από τα δεύτερα μισά του χρόνου, ενώ από το 2014 θα εξαπλωθούν στις περισσότερες συσκευές της μεγάλης κατηγορίας.
Η νέα mobile DRAM της Samsung των 3GB χρησιμοποιεί έξι από τα μικρότερα (κλάσης 20 νανομέτρων) 4Gb LPDDR3 chips της βιομηχανίας, σε μία συμμετρική κατασκευή δύο σετ των τριών chips, που καταλαμβάνουν συνολικό χώρο πάχους μόλις 0,8 χιλιοστών και προσφέρουν ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων έως 2.133Mbps per pin.
Με βάση όσα δήλωσε ο Young-Hyun Jun, μπορούμε να υποθέσουμε πως το νέο chip των 3GB RAM θα μπει στο Samsung Galaxy Note III, που αναμένεται να ανακοινωθεί τον Σεπτέμβρη στην IFA 2013.
Και ενώ οι υπολογιστές έχουν κατά μέσω όρο 4GB RAM, η Samsung με αυτή την κίνησή της, φέρνει τα Smartphones πιο κοντά στους Η/Υ!
