Η Samsung Electronics ανακοίνωσε σήμερα ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή του πρώτου 256GB chip αποθήκευσης με πρότυπο UFS 2.0, για high-end κινητές συσκευές επόμενης γενιάς. Η εταιρεία λέει ότι αυτή η νέα μνήμη flash παρέχει απόδοση που ξεπερνά εκείνη ενός συμβατικού SATA-based SSD για PC.
Το νέο chip της Samsung παρέχει εξαιρετικά γρήγορες ταχύτητα και μεγάλη χωρητικότητα δεδομένων σε μικρό μέγεθος. Η μνήμη βασίζεται στο V-NAND της Samsung και διαθέτει έναν ελεγκτή υψηλών επιδόσεων. Είναι ικανό να αντέξει μέχρι και 45.000 αναγνώσεις και 40.000 εγγραφές ανά δευτερόλεπτο, ενώ είναι πάνω από δύο φορές πιο γρήγορο από ό,τι η προηγούμενη γενιά μνήμης UFS.
Το 256GB UFS 2.0 chip χρησιμοποιεί δύο σειρές μεταφοράς δεδομένων για διαδοχική ανάγνωση με ταχύτητες έως και 850MB/s και διαδοχική εγγραφή με ταχύτητες έως 260MB/s.
Αυτό επιτρέπει στο chip την συνεχόμενη αναπαραγωγή 4K βίντεο και multitasking λειτουργικότητα σε κινητές συσκευές με μεγάλη οθόνη, σαν να παρακολουθείτε δηλαδή μια ταινία 4K σε split screen, ενώ ψάχνεται συγχρόνως για αρχεία εικόνας και βίντεο. Φορητές συσκευές που θα ενσωματώνουν το 256GB UFS 2.0 chip της Samsung θα κυκλοφορήσουν αργότερα αυτό το έτος.
