Η Samsung θέλει να είναι η πρώτη στον κόσμο που παράγει μνήμες και αποθηκευτικά μέσα με νέες τεχνολογίες και πλέον είναι η πρώτη στον κόσμο που ξεκινάει τη μαζική παραγωγή 4GB DRAM που βασίζονται στο γρήγορο HBM2 interface, κάτι που θα αυξήσει κατά πολύ τις ταχύτητες.

Οι DRAM που βασίζονται σε HBM2 μπορούν να τροφοδοτήσουν δεδομένα με ρυθμό 256 GBps, καθιστώντας τις επτά φορές ταχύτερες από τις μνήμες DDR5. Η εταιρεία είπε ότι θα παρέχει τις νέες DRAM σε κατασκευαστές επαγγελματικών servers, που εκτιμούν την απόδοση περισσότερο από οτιδήποτε άλλο.

Samsung-4GB-HBM2-DRAM-Block-Diagram

Η Samsung δήλωσε ότι θα προσφέρει επίσης αυτά τα chips των 20nm στην NVIDIA και την AMD, που θα τις βοηθήσουν να κατασκευάσουν κάρτες γραφικών με εξαιρετικά υψηλή απόδοση και μειωμένη κατανάλωση ενέργειας. Η Samsung κατασκευάζει τώρα μόνο μνήμες 4GB με τέσσερα στρώματα πυρήνων των 8-gigabit, αλλά σύντομα θα αρχίσει και την παραγωγή 8GB DRAM με οκτώ στρώματα.

Πηγή | Via

Ακολουθήστε το Techmaniacs.gr στο Google News για να διαβάζετε πρώτοι όλα τα τεχνολογικά νέα. Ένας ακόμα τρόπος να μαθαίνετε τα πάντα πρώτοι είναι να προσθέσετε το Techmaniacs.gr στον RSS feeder σας χρησιμοποιώντας τον σύνδεσμο: https://techmaniacs.gr/feed/.

ΑΦΗΣΤΕ ΜΙΑ ΑΠΑΝΤΗΣΗ

Please enter your comment!
Please enter your name here

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.